Opis marketingowy Wyjątkowa i innowacyjna architektura pamięci flash Samsung 3D V-NAND stanowi przełom w pokonywaniu ograniczeń gęstości, wydajności oraz wytrzymałości współczesnej, konwencjonalnej płaskiej architektury NAND. Architektura 3D V-NAND wykorzystuje 32 warstwy komórek umieszczonych jedna nad drugą, zamiast ograniczenia wielkości komórek w celu dopasowania ich do ograniczonej poziomej przestrzeni. Dzięki temu uzyskano większą gęstość i lepsze parametry, a także mniejsze wymiary.

Waga 8,5

Zastosowanie Komputer stacjonarny i laptop

Orientacyjna waga brutto 58

Typ SSD

Miejsce montażu Dedykowane złącze

Kieszeń hot-swap false

Pamięć podręczna 1000

Maks. prędkość zapisu 520

Strona www produktu http://www.samsung.com/pl/consumer/memory-storage/ssd/850-evo/MZ-M5E1T0BW

Orientacyjna waga brutto opak. zbior. 780

Maks. prędkość zapisu 520

Funkcje dodatkowe SMARTTRIM

Maks. prędkość odczytu 540

Ilość w opakowaniu zbiorczym - orientacyjnie 10

Interfejs SATA III

Maks. prędkość odczytu 540

Kieszeń hot-swap false

Pojemność 1000

Średni czas bezawaryjnej pracy (MTBF) 1500000

Interfejs SATA III

Pobór mocy (spoczynek) 0,05

Pobór mocy (praca) 4,3

Funkcje dodatkowe SMARTTRIM

Pobór mocy (spoczynek) 0,05

Pobór mocy (praca) 4,3

Orientacyjna waga brutto 58

Wysokość 51

Orientacyjna waga brutto opak. zbior. 780

Waga 8,5

Ilość w opakowaniu zbiorczym - orientacyjnie 10

Strona www produktu http://www.samsung.com/pl/consumer/memory-storage/ssd/850-evo/MZ-M5E1T0BW

Dla tego produktu nie napisano jeszcze opinii!

Napisz opinię

Właściciel sklepu internetowego nie gwarantuje, że publikowane opinie pochodzą od konsumentów, którzy używali danego produktu lub go kupili.

Informacje

SSD SAMSUNG 1TB mSATA MZ-M5E1T0BW 850 EVO

Koszty dostawy tego produktu