31-07-2024
Typ obudowy
AIC
Zastosowanie
Komputer stacjonarny i laptop
Kod producenta
MZ-M5E250BW
Opis marketingowy
Wyjątkowa i innowacyjna architektura pamięci flash Samsung 3D V-NAND stanowi przełom w pokonywaniu ograniczeń gęstości, wydajności oraz wytrzymałości współczesnej, konwencjonalnej płaskiej architektury NAND. Architektura 3D V-NAND wykorzystuje 32 warstwy komórek umieszczonych jedna nad drugą, zamiast ograniczenia wielkości komórek w celu dopasowania ich do ograniczonej poziomej przestrzeni. Dzięki temu uzyskano większą gęstość i lepsze parametry, a także mniejsze wymiary.
Typ
SSD
Miejsce montażu
Dedykowane złącze
Pamięć podręczna
512
Maks. prędkość zapisu
520
Interfejs
SATA III
Maks. prędkość odczytu
540
Pojemność
250
Średni czas bezawaryjnej pracy (MTBF)
1500000
Funkcje dodatkowe
SMARTOdporny na wstrząsyTRIM
Pobór mocy (spoczynek)
0,05
Pobór mocy (praca)
4,3
Wysokość
51
Waga
7
Strona www produktu
http://www.samsung.com/pl/consumer/memory-storage/ssd/850-evo/MZ-M5E250BW
Dla tego produktu nie napisano jeszcze opinii!
Napisz opinięWłaściciel sklepu internetowego nie gwarantuje, że publikowane opinie pochodzą od konsumentów, którzy używali danego produktu lub go kupili.