31-07-2024
Przystosowany do pracy ciągłej (24/7)
false
Kod Producenta
MZ-M5E500BW
Typ obudowy
AIC
Prędkość obrotowa
Nie dotyczy
Zastosowanie
Komputer stacjonarny i laptop
Kod producenta
MZ-M5E500BW
Opis marketingowy
Wyjątkowa i innowacyjna architektura pamięci flash Samsung 3D V-NAND stanowi przełom w pokonywaniu ograniczeń gęstości, wydajności oraz wytrzymałości współczesnej, konwencjonalnej płaskiej architektury NAND. Architektura 3D V-NAND wykorzystuje 32 warstwy komórek umieszczonych jedna nad drugą, zamiast ograniczenia wielkości komórek w celu dopasowania ich do ograniczonej poziomej przestrzeni. Dzięki temu uzyskano większą gęstość i lepsze parametry, a także mniejsze wymiary.
Typ
SSD
Miejsce montażu
Dedykowane złącze
Kieszeń hot-swap
false
Pamięć podręczna
512
Maks. prędkość zapisu
520
Interfejs
SATA III
Maks. prędkość odczytu
540
Pojemność
500
Średni czas bezawaryjnej pracy (MTBF)
1500000
Funkcje dodatkowe
SMARTTRIM
Pobór mocy (spoczynek)
0,05
Pobór mocy (praca)
3,3
Orientacyjna waga brutto
58
Wysokość
51
Orientacyjna waga brutto opak. zbior.
787
Waga
8,3
Ilość w opakowaniu zbiorczym - orientacyjnie
10
Strona www produktu
http://www.samsung.com/pl/consumer/memory-storage/ssd/850-evo/MZ-M5E500BW
Dla tego produktu nie napisano jeszcze opinii!
Napisz opinięWłaściciel sklepu internetowego nie gwarantuje, że publikowane opinie pochodzą od konsumentów, którzy używali danego produktu lub go kupili.